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第250章 丑话说在前头(1 / 5)

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丑话说在前头

全国如火如荼的思想大批判,并没有影响到了国家的正常建设,一五计划来到了第三年,过去三年间,从最初的完成经济恢复到展开全面建设,特别是156项工业,如长春一汽、太原电厂、重型机器厂、哈量刃具厂等等陆续奠基。

而在刚过去的1954年,更是取得了一系列的成就,新中国第一架初教五教练机在南昌起飞、上海机床厂继华昌机电后,第二个制造出了3160外圆磨床并下线、川藏、青藏公路通车,官厅水库完成建设…。

当然这中间也有少不了在方叶影响下所诞生的新贡献,如新中国第一台电脑、第一台脱粒机、无刷电机、微型轴承等等。

另外华昌集团及其合作的研究单位,更是出现了一批原创新发明和新技术,如新型半导体晶体管、集成电路板、数控系统、电主轴、永磁伺服电机、磁带薄膜机等,共获得45项技术发明专利,其中集成电路板为世界首创新发明,比美国早了整整四年,华昌研究水平和技术贡献能力在全国工业领域─骑绝尘。

不过虽然华昌取得了一系列的成就,但是方叶对此却并不十分满意,对于他来说,华昌整体上的制造水平最多达到了二战后期西方工业水平,远远没有完成他心中的构想,一切还任重而道远。

在方叶看来,只有计算机、数控机床、硅工业、集成电路、液压这四大块全部补齐,华昌集团才能在未来真正的站住脚,从此长成参天大树,而现在的华昌看似朝气蓬勃,欣欣向荣,但是方叶知道,它还是只有一条腿的瘸子。

特别是硅工业的建立,关系到华昌未来的生死存亡问题,而原本新中国硅工业的建立,要一直等到1957年,方叶显然等不了那么久,因此他的内心里其实是十分焦急的,不过他也知道,就现在中国硅工业完全一片空白状态,任凭自己如何急也改变不了事实,中国一没有硅提炼炉、二没有制备硅单晶的人才,三连相关专业书藉都没有。

如今新中国第一根硅单晶的发明人丁守谦还在北大读研究生,林兰英博士还在美国纽约,他只好找到了北就应用物理所的叶式中和汪光川二人,聘用他们进行硅工业的相关研究,然而两位先生之前并没有搞过硅半导体的提炼,国内也没有相关的专业书藉,方叶又不得不进行提供。

两人的研究已经一年有余,才将将看完了书藉,并且国内至今没有硅提炼炉,所以一切都是枉然,一直到了1954年的10月,在方叶的强烈建议下,中国向苏联提出的援助中才加入了硅工业和液压工业。

硅需要从铝土矿中提炼,因此国家将这个项目交给了辽宁抚顺铝厂,去年十二月,苏联的专家抵达了辽宁,在苏联专家的积极帮助下,时至二月,终于完成了提炼炉的选址工作,施工建设大概需要半年左右,不过来自苏联专家的援助热情很高,他们表示1955年九月以前将能生产出第一炉硅锭。

而这还只是万里长征第一步,相关工业人才需要到苏联去培训,而在具体的生产工艺上,如硅片上的电路蚀刻,需要解决曝光机、浸润液、镀铜涂覆,超纯清洗水生产这些生产环节的材料和工艺问题。

曝光机的问题,方叶交给了长春光机所黄昆教授的光学研究小组,目前研究进度良好,至于镀铜涂覆工艺在天和电子已有技术积累,他们两年前就已经解决了电路板上的镀铜涂覆工艺。

电路板与硅片上的镀铜工艺有相通之处,而不同点在于,一个是印刷后液相蚀刻,一个是曝光蚀刻。之所以硅片要采用曝光工艺,原因便在于,硅片基材相对pcb板材质不同,而且前者的面积太小,精度要求更高。

而曝光机就是世界上最早的工业光刻机,其原理是将一块刻有微型电路线路的胶板(这块胶片除电路线路之外的部分全部按工艺顺序用黑色材料进行遮蔽),而后将其置于曝光台上,下方放置涂有特殊浸润光感液体的硅片,当紫外光线投射到胶片上后,露出的电路将会被映照(蚀刻)在硅片上。

基于不同的电路线路、标记或蚀刻能力,它至少需要二至三次以上的重复曝光,才能完成最终的蚀刻。

整个工艺过程之中,需要经历第一次浅光源浸润、蚀刻、超纯洗,描出线路;第二次深光源浸润、蚀刻蚀,刻出需要深度,超纯洗;而后涂覆遮蔽材料,经烧结硬化后,进行遮蔽层电路蚀刻、再次超纯洗;其后才能开始镀铜涂覆,完成镀铜还需要最后一次液相或激光蚀刻,去除了基板上的遮蔽材料,保留电路,最后一次超纯清洗之后,才能得到一块完整的硅芯片。

如此复杂的工艺,就要求必须保证整个曝光过程中的精度,包括了曝光机能持续提供可调节的光深,保证其曝光精度,同时还保证不同工艺过程中菲林片自身和定位精度,因此以当前的技术纳米级芯片是不可能的,方叶将其放大了微米级,只要能保证初代机器的蚀刻栅宽误差在正负90微米范围内的精度,那便是成功,所以未来的第―枚芯片将会很大。

新中国在华昌机电的薄膜机出来以前,还不能制造膜薄,因为磁带

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